产品服务

Product & Service

半导体硅片是集成电路产业的基石材料。90% 以上的大规模集成电路（LSI）与超大规模集成电路（VLSI）制造在高纯硅抛光片与外延片之上。

金瑞泓自 2000 年成立以来专注半导体硅片制造 26 年，是中国大陆首家打通「单晶生长 → 研磨 → 抛光 → 外延」全流程的硅片制造企业，可提供硅单晶锭、硅研磨片、硅抛光片、硅外延片全系列产品，覆盖 150mm / 200mm / 300mm 全尺寸。

我们依托浙江大学—硅及先进半导体材料全国重点实验室的产学研平台，面向功率器件、逻辑与模拟 IC、存储器件、图像传感器（CIS）、MEMS 等应用，提供从研发样品到车规级量产的硅基材料解决方案。

26 年专注硅片制造全流程自主可控 150 / 200 / 300 mm <100> / <111> 衬底晶向浙江大学产学研平台

产品分类

Product Lines

按工艺分类浏览；如需按器件选型，请参考各分类下的「按器件组织的解决方案」

金瑞泓硅外延片覆盖 150 / 200 / 300 mm 三个尺寸，支持 <100>、<111> 衬底晶向，外延厚度 1 ~ 180 μm、外延电阻率 0.005 ~ 1200 Ω·cm，涵盖磷烷（PH3）、砷烷（AsH3）、硼烷（B2H6）三种气源掺杂。衬底与外延层可任意组合，并支持多层外延任意组合。

规格范围

直径	150 mm / 200 mm / 300 mm
衬底类型	重掺 P+（B）、重掺 N+（Ph / As / Sb）、轻掺 P−（B）、轻掺 N−（Ph）、埋层
衬底晶向	<100>、<111>
衬底电阻率（重掺）	P 型 B：1 ~ 5 mΩ·cm ｜ 10 ~ 20 mΩ·cm N 型 Ph：0.8 ~ 1.85 mΩ·cm N 型 As：1.8 ~ 5 mΩ·cm N 型 Sb：8 ~ 20 mΩ·cm
衬底电阻率（轻掺）	P 型 B：8 ~ 12 Ω·cm ｜ 1 ~ 100 Ω·cm N 型 Ph：7 ~ 16 Ω·cm ｜ 1 ~ 100 Ω·cm 定制开发：> 5000 Ω·cm、> 10000 Ω·cm ……
外延气源掺杂	N 型　磷烷 PH3 ｜ N 型　砷烷 AsH3 ｜ P 型　硼烷 B2H6
外延厚度与电阻率	N 型 PH3：THK 1 ~ 180 μm　｜　RES 0.005 ~ 1200 Ω·cm N 型 AsH3：THK 1 ~ 180 μm　｜　RES 0.005 ~ 150 Ω·cm国内少数已量产 P 型 B2H6：THK 1 ~ 60 μm　｜　RES 0.005 ~ 800 Ω·cm
外延结构	衬底与外延任意组合；多层外延任意组合

按器件组织的解决方案7 类器件方向

器件方向	特色技术	产品示例（结构型号）
MOSFET 含 SGT-MOS、SJ-MOS、FR-MOS、LDMOS 等结构方向覆盖 12 ~ 1500 V	超低阻 CZ 单晶硅生长技术；AsH3 Buffer 层外延技术；外延 Misfit-Free 技术；多层外延结构控制技术；厚层外延生长缺陷控制技术	N/N+、N/N/N+、N/N/N/N+、P/P+、P/P/P+
SBD / TMBS 覆盖 20 ~ 250 V	外延自掺杂控制技术；PN 结 Profile 控制技术	N/N+、N/N/N+、N/N/N/N+
FRD（扩铂 / 辐照）覆盖 350 ~ 1700 V	厚层外延生长缺陷控制技术；厚层外延 Slip 缺陷控制技术；外延自掺杂消除技术	N/N+、N/N/N+、N/N/N/N+
IGBT 覆盖 650 ~ 1350 V	厚层外延生长缺陷控制技术；高平整度厚层外延片技术；外延自掺杂消除技术	N/N、N/N/N
TVS 含双向 / 低电容覆盖 3.3 ~ 24 V	外延 SRP 过渡区控制技术；PN 结 Profile 控制技术	P/P+、N/P+、N/P/N+、P/P/P/N+、N/N+
图像传感器（CIS）	BMD 内吸杂（Internal Gettering）技术；全流程金属控制技术；渐变外延技术	P/P+
模拟与数字 IC BCD / Logic	高平整度控制技术（衬底片 + 外延 hybrid 工艺）；单晶缺陷表征技术	P/P、P/P+、N/P

核心技术突破

① 超低阻 CZ 单晶硅生长技术

以直拉（CZ）法生长超低阻重掺单晶，持续降低重掺衬底电阻率——200 mm 衬底 Ph < 0.9 / As < 2.0 / B < 1.1 mΩ·cm，300 mm 衬底 Ph < 1.1 / As < 2.2 / B < 1.5 mΩ·cm。

客户收益：更低衬底电阻率直接减小器件导通电阻，R_DS(on) 可降低 10 ~ 20%。

② 超低阻衬底外延层错缺陷消除技术

针对超低阻（< 0.9 mΩ·cm）磷（Ph）衬底外延片，抑制外延层表面层错（stacking fault）缺陷的形成。

客户收益：降低器件漏电，改善良率与片间一致性。

③ AsH3 缓冲层外延技术

以砷烷作为缓冲层掺杂源——① 砷与硅晶格常数相近，晶格失配小，可降低外延缺陷密度；② 砷在硅中固溶度高（约 10¹⁹ cm⁻³），缓冲层电阻率可低至 0.005 Ω·cm；③ 砷的扩散系数比磷低一个数量级，高温工艺中有效抑制杂质扩散。

客户收益：在降低外延缺陷密度的同时，减少高温工艺中的杂质扩散干扰。

④ 外延 Misfit-Free（无失配）技术

P−/P+ 外延片的晶格失配位错源于外延层与衬底的晶格常数差异，在超低阻衬底与厚层外延条件下尤为严重，会引起器件漏电偏大、击穿电压下降。Misfit-Free Epi 技术通过生长工艺控制，实现外延表面无失配位错。

客户收益：降低器件漏电，同时改善器件击穿特性与良率一致性。

⑤ 外延自掺杂控制技术

重掺衬底中的掺杂元素在外延高温过程中扩散至硅片边缘，导致边缘电阻率偏低、片内均匀性变差；通过自掺杂控制抑制该扩散。

客户收益：提高片边缘击穿电压（BV），改善片内 BV 离散。

⑥ 厚层外延 Slip 缺陷控制技术

厚外延片表面的 slip 缺陷会形成漏电通道；通过工艺控制实现表面低 Slip / Slip-free。

客户收益：显著降低器件漏电流。

⑦ 高平整度厚层外延技术

面向高压 MOSFET ≥50 μm 厚外延，实现无背面晶点、无冠状边缘、局部平整度高。

客户收益：降低光刻离焦风险，提升光刻工艺窗口与器件良率。

⑧ BMD 内吸杂与全流程金属控制技术

在单晶生长与缺陷工程阶段稳定 BMD（内吸杂）密度与尺寸，并覆盖单晶热场 → 衬底片加工 → 外延生长的全流程金属管控。

客户收益：面向 CIS，带来优异的白噪点与暗电流表现，以及器件间一致性。

应用领域

分立器件：MOSFET（含 SGT-MOS、SJ-MOS、FR-MOS、LDMOS 等结构方向）、IGBT、FRD、SBD、TMBS、TVS 等
数字 / 模拟 IC：Logic IC、MCU、BCD 等
图像传感器：FSI CIS、BSI CIS 等
光电器件：光电二极管（PD）、光电三极管（PT）等

金瑞泓硅抛光片覆盖 150 / 200 / 300 mm 三个尺寸，晶向 <100>、<111>、<110>，分为轻掺抛光片（面向数字 / 模拟 IC、存储器件与测试片）与重掺抛光片（For Epi，用作外延衬底）。表面处理提供单面抛光与双面抛光（DSP），支持 P 型 / N 型多种掺杂元素。

规格范围150 / 200 / 300 mm 通用

类别	导电类型 · 掺杂元素	电阻率	主要用途
轻掺	P 型 · 硼 B	8 ~ 12 Ω·cm ｜ 1 ~ 100 Ω·cm	数字 / 模拟 IC、存储器件、测试片
	N 型 · 磷 Ph	7 ~ 16 Ω·cm ｜ 1 ~ 100 Ω·cm	数字 / 模拟 IC、存储器件、IGBT、MEMS、测试片
	定制开发	> 5000 Ω·cm ｜ > 10000 Ω·cm ……	高阻 / 超高阻射频器件定制应用
重掺（For Epi）	P 型 · 硼 B	1 ~ 5 mΩ·cm ｜ 10 ~ 20 mΩ·cm	外延衬底
	N 型 · 磷 Ph	0.8 ~ 1.85 mΩ·cm	外延衬底
	N 型 · 砷 As	1.8 ~ 5 mΩ·cm	外延衬底
	N 型 · 锑 Sb	8 ~ 20 mΩ·cm	外延衬底

按器件组织的解决方案5 类衬底用途

器件方向	特色技术	产品示例
功率器件 MOSFET / SGT / SJ / FRD / SBD / TMBS / TVS	超低阻 CZ 单晶硅生长技术	重掺磷 ≤ 0.9 mΩ·cm 衬底，重掺砷 ≤ 2.0 mΩ·cm 衬底（150 / 200 / 300 mm）
IGBT（MCZ）	MCZ 超低氧控制技术；低 COP 完美单晶生长技术	8 英寸轻掺磷 30、45、60、90 Ω·cm MCZ 平台
模拟与数字 IC BCD / HVIC / Logic / Analog / LED Driver	空位型 COP-free 单晶生长技术；单晶缺陷表征技术；高平整度控制技术；BMD 内吸杂技术	8 / 12 英寸 P 轻掺 8-12、15-25 Ω·cm
存储器件 DRAM / Flash	完美单晶生长技术	12 英寸 P 轻掺 8-12 Ω·cm
MEMS	超高阻拉晶技术；表面 Poly 微抛光 / Trap-Rich 技术；MEMS 用翘曲控制技术	8 英寸 N08 1.5-3 Ω·cm，P08 > 10000 Ω·cm

核心技术突破

① 超低阻 CZ 单晶硅生长技术

以直拉法生长超低阻重掺单晶，降低重掺衬底电阻率——200 mm 衬底 Ph < 0.9 / As < 2.0 / B < 1.1 mΩ·cm，300 mm 衬底 Ph < 1.1 / As < 2.2 / B < 1.5 mΩ·cm。

客户收益：作为功率器件外延衬底，更低衬底电阻率使器件 R_DS(on) 降低 10 ~ 20%。

② MCZ 超低氧控制技术（IGBT 专用，替代区熔硅）

以直拉 MCZ 低氧单晶提供氧含量 ≤ 5 ppma 的抛光片，替代区熔（FZ）硅，减少热施主与体微缺陷对 IGBT 的影响；径向氧含量分布控制技术改善 IGBT 边缘区域 CP 低良与 VR 偏大。

客户收益：已量产应用于国内客户车规级产品；产品系列电阻率 90 / 60 / 45 / 30 Ω·cm。

③ 空位型 COP-free 单晶生长技术

通过控制单晶生长工艺获得 COP-free 单晶，消除极小尺寸 COP 引起的器件 GOI 失效。

客户收益：面向 BCD 等对栅氧完整性敏感的器件，降低 GOI 失效风险。

④ BMD 内吸杂与金属全程管控技术

通过调控 BMD 密度和全流程金属管控，提供低金属含量硅片。

客户收益：降低漏电和 GOI 失效风险。

⑤ 超高阻拉晶技术（射频 MEMS 专用）

以硼（Boron）为掺杂剂实现超高阻单晶，电阻率 > 10000 Ω·cm。

客户收益：为精密传感与射频器件提供低信号损耗、优异热稳定性与高绝缘性的衬底。

⑥ 表面 Poly 微抛光 / Trap-Rich 技术

采用高阻硅衬底 + Trap-Rich 层（Poly）。普通高阻硅在 Si/SiO2 界面因氧化层固定电荷吸引自由载流子形成寄生表面电导（PSC），导致衬底有效电阻率下降；Trap-Rich 层在界面引入深能级陷阱捕获载流子，恢复高阻特性。可精准控制 Poly 层微抛光去厚量在 0.4 ± 0.1 μm，微抛光后粗糙度 < 0.7 nm。

客户收益：在高阻衬底上稳定保持有效电阻率，Qp 值显著提升，并满足器件对表面粗糙度的要求。

⑦ MEMS 器件翘曲控制技术

通过控制硅片参数均匀性增强抗应力能力，减少器件高温工艺后的形变。

客户收益：降低复杂 MEMS 膜层工艺后翘曲偏大导致的背压报警。

⑧ (110) 单晶技术

优势：<110> 晶向空穴迁移率显著高于 <100>（应变技术加持下 PMOS 空穴迁移率可 +162%），且对压应力传递效率高出 40%。

供应能力：金瑞泓已具备 (110) 硅片全流程加工工艺（拉晶 → 切片 → 磨片 → 抛光 → 清洗 → 外延），可按需求提供样品片，各项参数可定制。

应用领域

功率器件：MOSFET、FRD、SBD、TMBS、TVS、IGBT 等
数字 / 模拟 IC：BCD、PMIC、HVIC、Logic、MCU 等
存储器件：DRAM、NOR Flash、NAND 等
MEMS：压力传感器、硅麦克风、硅透镜、射频 MEMS 等
测试片：IMP Rs、Particle、Film Monitor 等